【摘 要】
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为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量
【机 构】
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中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金（No.61306057）资助
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为了提高915nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力,采用基于SiO2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时间、SiO2薄膜厚度、SiO2薄膜折射率、不同盖片等试验参数对制备非吸窗口的影响,并且讨论了SiO2薄膜介质膜的多孔性对无杂质诱导量子阱混合的影响.实验制备出蓝移波长为53nm的非吸收窗口,最佳制备非吸收窗口条件为退火温度为875℃,退火时间为90s,SiO2薄膜折射率为1.447,厚度
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