论文部分内容阅读
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题，同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时，可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC