摘 要：在模拟和混合集成电路中，CMOS带隙基准源是应用广泛的重要单元，针对温度补偿对基准源性能的影响，本文从介绍CMOS带隙基准源的基本原理出发，分析了一阶补偿、二阶补偿以及更高阶补偿的CMOS带隙基准电路结构。
　　关键字：温度补偿；带隙基准源；精度
　　集成电路中的三种常用基准源中，掩埋齐纳基准源不兼容标准CMOS工艺，输出一般大于5V，XFET基准源也是不能兼容标准CMOS工艺，相比之下，带隙(Bandgap)基准源具有与CMOS工艺完全兼容，可以工作于低电源电压下，温度漂移、噪声和PSRR等性能满足大部分系统要求的优点[1]。
　　带隙基准源在模拟和数字集成电路中应用非常广泛，比如在数模转换器(digital-analog converters，DAC)，模数转换(analog- digital converters，ADC)，DC/DC转换器，AC/DC转换器，运算放大器，线性稳压器等电路中，基准电压的精度决定着这些电路的性能。随着集成电路规模的发展，电子设备的体积、重量和功耗越来越小，这对电源电路的集成化、小型化以及性能和精度提出了越来越高的要求[2]。本文在分析CMOS带隙基准源基本原理的基础上，比较了不同温度补偿设计的CMOS带隙基准源。
　　1 CMOS带隙基准源原理
　　为了提高CMOS带隙基准源的精度，除了选择上述几种补偿方法，还有一些不常用的技术：利用β的温度系数设计高阶补偿，设计专门的工艺误差补偿电路、校准电路减小电阻比值、增大双极晶体管的面积比值等电路。
　　4 结束语
　　随着集成电路规模的发展，一阶补偿的带隙基准源已经不能满足系统的要求，因此研究不同结构的高精度带隙基准源是非常有意义的。本文在分析CMOS带隙基准源基本原理的基础上，分析比较了不同补偿设计的带隙基准源。
　　参考文献
　　[1] Abraham I. Pressman，王志强等译，开关电源设计(第二版). 北京: 电子工业出版社，2005.
　　[2] P.R. Gray and R.G. Meyer，Analysis and Design of Analog Integrated Circuits. New York: Wiley，1993.
　　[3] 刘成，吴玉广. 峰值电流控制模式中斜坡补偿的分析. 控制系统，2008，9: 49-50.
　　[4] 朱樟明，张永泊，杨银堂等.一种具有省电模式的CMOS振荡器电路.固体电子学研究与进展.2008.28(1):109-112.
　　作者简介
　　毕长红，山东济南人，电子科技大学微电子专业 方向是铁电存储器。