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采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术，在相对较高气压和较高功率条件下，制备了不同硅烷浓度的微晶硅材料，材料沉积速率随硅烷浓度的增加而增大，通过对材料的电学特性和结构特性的分析得知：获得了沉积速率超过1nm／s高速率器件质量级微晶硅薄膜，并且也初步获得了效率达6．3％的高沉积速率微晶硅太阳电池。