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β-Ga2O3作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注.基于本研究团队在如何制备é-Ga2O3单晶及如何通过掺杂五族离子实现对é-Ga2O3单晶电学性质及光学性质的调控两个重要课题上的深入研究,对β-Ga2O3单晶的制备方法、Ta5+与Nb5+掺杂β-Ga2O3单晶的电学性质及光学性质进行了综述.