【摘 要】
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考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的I-V输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长度,推导了短沟道AlGaN/GaN HEM T的电流-电压(I
【机 构】
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淮阴师范学院计算机科学与技术学院,江苏淮安,223300
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考虑栅电压、漏电压和沟长调制效应影响下,在长沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的I-V输出特性基础上,引入有效迁移率和有效沟道长度,推导了短沟道AlGaN/GaN HEM T的电流-电压(I-V)输出特性模型.通过比较栅长为105 nm时模型计算结果与实际器件的输出特性,表明推导的短沟道AlGaN/GaN HEM T的I-V模型与实验结果基本相符,误差小于5%.
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