【摘 要】
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提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS（surface implanted LDMOS with p buried layer）.通过表面注入n^＋薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电
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提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS（surface implanted LDMOS with p buried layer）.通过表面注入n^＋薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二维Poisson方程,获得表面电场和击穿电压的解析式,研究结构参数对表面电场和击穿电压的影响,数值与解析结果吻合较好.结果表明：与常规结构相比较,BSI LDMOS大大改善了击穿电压和导通电阻的折衷关系.
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