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ZnO基半导体薄膜材料的研究进展
ZnO基半导体薄膜材料的研究进展
来源 :材料导报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenbin198718
【摘 要】
:
介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的
【作 者】
:
温晓莉
陈长乐
陈钊
韩立安
高国棉
【机 构】
:
西北工业大学理学院应用物理系
【出 处】
:
材料导报
【发表日期】
:
2007年F05期
【关键词】
:
ZNO薄膜
P型掺杂
P-N结
磁性能
ZnO thin film
p-type doping
p-n junction
magnetic propert
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介绍了ZnO基半导体薄膜材料的基本性质和制备手段,综述了其在发光方面及磁性方面的研究进展。详细探讨了ZnO薄膜材料的发光机理、P型掺杂、p-n结的生长和稀磁性能,并对国内外的发展情况和存在问题进行了分析和探讨。
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