【摘 要】
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采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2—5μm厚度的P-AlxGa1-xN／GaN层（0〈x≤0．4），在AlxGa1-x划层中的Al浓度为0．2〈x〈0．7。优化了影响P型CaN性质的生长参数：Mg流
【机 构】
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中国电子科技集团公司第五十五研究所
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采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2—5μm厚度的P-AlxGa1-xN／GaN层（0〈x≤0．4），在AlxGa1-x划层中的Al浓度为0．2〈x〈0．7。优化了影响P型CaN性质的生长参数：Mg流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比。过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度；研究了退火温度对P型GaN空穴浓度和光致发光的影响，获得了最佳退火温度为680～750℃的范围。
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