【摘 要】
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随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非
【基金项目】
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国家重点研发计划(项目号:2019YFB2204500),电子科技大学人才启动基金(项目号:Y030202059018052)。
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随着半导体工艺的进步,晶体管尺寸不断缩小,阈值电压随之下降,传统静态随机存储器的静态功耗逐渐成为系统的瓶颈。而新兴的磁性随机存储器由于具有密度高、极低的漏电流、非易失等特性,成为了后摩尔时代解决静态功耗作为工作存储器的有力竞争者。基于此,本文介绍了MRAM的特性,调研了近三年的MRAM芯片研究成果,重点阐述了MRAM应用于处理器中多级缓存的情况。最后,本文提出了基于非易失存储器的评估工具,实现对缓存性能的评估。
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