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通过高分辨X射线衍射（HRXRD）技术，对金属有机化合物气相外延（MOCVD）生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向，晶格常数和应力情况，位错密度等进行了分析。分析表明，GaN和SiC具有一致的a轴取向，GaN外延层弛豫度超过90％，GaN外延层的晶格常数与体块材料相近，在GaN中存在压应力，SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为10^7和10^8量级。