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通过将Ｃｒ金属电镀到一根发针形Ｗ丝的尖端，来制造一种简单结实的Ｃｒ蒸发器。离蒸发器５ｃｍ下，可获得高达１０ｎｍｍｉｎ＾－１的沉积速率，总沉积厚度超过４００ｎｍ。对沉积在超高真空的薄膜进行俄歇Ａｕｇｅｒ分析的结果表明，薄膜中所含的杂质已少至不可检测。
供超高真空用的简单结实高纯度Cr蒸发器
【摘 要】
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通过将Ｃｒ金属电镀到一根发针形Ｗ丝的尖端，来制造一种简单结实的Ｃｒ蒸发器。离蒸发器５ｃｍ下，可获得高达１０ｎｍｍｉｎ＾－１的沉积速率，总沉积厚度超过４００ｎｍ。对沉积在超高真空的薄膜进行俄歇Ａｕｇｅｒ分析的结果表明，薄膜中所
【出 处】
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四川真空
【发表日期】
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1995年4期
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