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本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在'温度临界点',然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的'温度临界点'.结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在'温度临界点';在'温度临界点'前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中'温度临界点'可能不止一个.