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绝缘体上硅锗是近年来受到人们广泛关注和研究的新型微电子材料，它以其独特的全介质隔离结构，可为研发新型的超高速、低功耗、抗辐射、高集成度硅基器件和芯片提供一种新的解决方案，有希望成为突破体硅器件的物理极限、在深亚微米超大规模集成电路芯片主流技术中获得广泛地应用。介绍了我们制备绝缘体上硅锗薄膜的方法和结果。