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本文讨论了在不同充电参数条件下的恒恒流电晕充电的Ｓｉ基ＳｉＯ２薄膜驻极体的空间电荷储存稳定性，并和栅控恒压电晕充电的结果进行了比较。利用电容－电压（Ｃ－Ｖ）分析技术确定了空间电荷重心的漂移，并利用等温表面电位衰减测量，开路热刺激放电实验及Ｃ－Ｖ分析技术讨论了Ｓｉ基ＳｉＯ２薄膜驻极体的空间电荷储存和输动特性。