【摘 要】
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用半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）－ＳｉＯ２复合层作为４Ｈ－ＳｉＣｎ＾＋ｐｐ＾＋结构的钝化层，克服了用多孔碳化硅或单纯用ＳｉＯ２钝化的不足。在ＬＰＣＶＤ淀积ＳＩＰＯＳ层后，用９００℃氧气氛退火代替了平常的热氧化，在ＳＩＰＯＳ层上生长了一层ＳｉＯ２。实际测量证实了这种新方法的
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用半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）－ＳｉＯ２复合层作为４Ｈ－ＳｉＣｎ＾＋ｐｐ＾＋结构的钝化层，克服了用多孔碳化硅或单纯用ＳｉＯ２钝化的不足。在ＬＰＣＶＤ淀积ＳＩＰＯＳ层后，用９００℃氧气氛退火代替了平常的热氧化，在ＳＩＰＯＳ层上生长了一层ＳｉＯ２。实际测量证实了这种新方法的合理性，分析了各主要工艺对钝化效果的影响，综合优化指出：在淀积ＳＬＰＯＳ层时，掺氧量要高，而淀积温度不应太高，用此方法钝化的４Ｈ－Ｓ
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