【摘 要】
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本文基于40 nm CMOS工艺,设计了一种10 bit 50 MSps的DAC,该DAC内嵌于一款4 GSps 12 bit的ADC核内进行非线性校准的工作.DAC电路的主体为分段式结构,高6位和低4位分别为温度
【机 构】
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北方工业大学信息学院,中国科学院微电子研究所
【基金项目】
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“新一代宽带无线移动通信网”国家科技重大专项“5G高性能基站A/D、D/A转换器试验样片研发及系统级验证”(2016ZX03001002)
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本文基于40 nm CMOS工艺,设计了一种10 bit 50 MSps的DAC,该DAC内嵌于一款4 GSps 12 bit的ADC核内进行非线性校准的工作.DAC电路的主体为分段式结构,高6位和低4位分别为温度计码和二进制码.本文提出一种利用模拟电路来进行二进制码转温度计码的设计,可以有效的提高DAC的INL及减小译码电路版图的面积.为了减小因版图布局而引起的失配误差,电流源阵列采用Q2 Random Walk布局.版图后仿的结果显示,在1.8V电源供电下,DAC的DNL和INL的最大绝对值分别为0.
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