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负偏压温度不稳定性效应（NBTI）已经成为影响CMOS集成电路可靠性的一个关键因素，而动态应力条件下的NBTI效应对器件和电路的影响越来越受到关注。对PMOSFET的动态NBTI效应进行了系统介绍，讨论了动态应力条件下NBTI（DNBTI）效应和静态应力下NBTI（SNBTI）退化机理，综述了DNBTI效应的动态恢复机制以及影响因素，最后介绍了NBTI效应对电路的影响。随着器件尺寸的日益缩小，如何提高电路的可靠性变得日益重要，进一步研究NBTI效应对电路的影响从而进行NBTI电路级可靠性设计已成为集成电路