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HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析
HgCdTe多载流子体系的迁移率谱分析
来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jeremy008
【摘 要】
:
通过迁移率谱分析法对LPE和MBE生长的n-HgCdTe样品进行了研究,获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度.通过迁移率谱分析法获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理
【作 者】
:
桂永胜
郑国珍
郭少令
褚君浩
【机 构】
:
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室
【出 处】
:
红外与毫米波学报
【发表日期】
:
1998年05期
【关键词】
:
迁移率谱
多载流子体系
HgCdTe
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通过迁移率谱分析法对LPE和MBE生长的n-HgCdTe样品进行了研究,获得了样品中体电子、体空穴以及界面电子的迁移率和浓度.通过迁移率谱分析法获得的样品中体电子和界面电子随温度的变化规律与理论分析完全吻合
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