193nmArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术

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2006年11月英特尔决定采用193nmArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nmArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺.193nmArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
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