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步入21世纪，全球电子电力器件市场呈现快速发展的势头，特别是我国，随着近年国民经济发展和对电子电力器件需求的不断增加，市场总规模日益膨胀，2005年市场销售额将超过200亿元。而其中IGBT等新型电子电力器件的年平均增长率更是超过30％，较一般电力电子器件的年平均增长率更高，而且未来的市场容量更大，发展前景被广泛看好。IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新一代新型电子电力半导体器件，它是将功率MOSFET和GTR集成在一个芯片上的复合器件。