论文部分内容阅读
研究了烧结温度（Ts）对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜（SEM）测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构；根据热电子发射理论，采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构；讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明：烧结温度必须高于致密化的初始温度，但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔，影响显微结构的均匀性和致密性，较适合的烧结温度为1350℃。随烧结温度的增加，TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大，Nb^5＋的固溶度增加，势垒