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提出了一种串联MEMS开关的电磁耦合模型,并且应用该模型,对采用表面硅工艺和体硅工艺制作的MEMS开关,采用全波分析方法,进行了瞬态电磁场分析.由于开关尺寸为微米量级,而驱动电压高达40～60V,这样的瞬态高压有可能对开关上的信号产生影响.理论仿真结果显示,开关驱动路对信号路有很强的耦合场存在.实验结果同样显示,耦合到信号路的信号可以输入信号产生最大值为60%的失真.