【摘 要】
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研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国
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研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I V特性有重要影响.
The effect of nitrogen ion implantation on the electrical properties of SIMOX devices was investigated. Nitrogen injection into the SIMOX buried oxide layer and annealing, will reduce the threshold voltage of the front gate MOS FET / SIMOX, improve the drain-source breakdown voltage but the gate breakdown voltage The effect of nitrogen injection has an important effect on the IV characteristics of SIMOX devices.
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