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瑞萨开发出无电容器双晶体管RAM
瑞萨开发出无电容器双晶体管RAM
来源 :电子测试:新电子 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liujun87654
【摘 要】
:
瑞萨科技(Renesas Technology)日前宣布,该公司已开发出可以实现高速运行和具有低功耗能力的高密度无电容器双晶体管RAM(TTRAM)。
【出 处】
:
电子测试:新电子
【发表日期】
:
2005年11期
【关键词】
:
晶体管
电容器
开发
RAM
高速运行
高密度
低功耗
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瑞萨科技(Renesas Technology)日前宣布,该公司已开发出可以实现高速运行和具有低功耗能力的高密度无电容器双晶体管RAM(TTRAM)。
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