适合基站放大器应用的图形化SOI LDMOSFET的设计与分析

来源 :温州师范学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：bbc118

【摘要】

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设计了一种新型图形化SOI（pattemed-Silicon-On-Insulator）LDMOSFET（lateral doublediffused MOSFETs）结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件

【作者】

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程新红王洪涛宋朝瑞俞跃辉袁凯许仲德

【机构】

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温州大学物理与电子信息学院,中科院上海微系统与信息技术研究所,东北微电子所

【出处】

：

温州师范学院学报

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

图形化SOI LDMOSFET 功率放大器基站 patterned-SOI LDMOS power amplifier base station

【基金项目】

：

上海市自然科学基金资助项目（03ZR14109）

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设计了一种新型图形化SOI（pattemed-Silicon-On-Insulator）LDMOSFET（lateral doublediffused MOSFETs）结构,埋氧层在沟道下方是间断的.工艺和性能模拟分析表明,此结构具有SOI器件低泄漏电流和低输出电容的特性,而且能抑制自加热效应和浮体效应.当漂移区长度为3μm时,开态击穿电压可达到30V、关态电压为71V、截止频率6.2GHz、最大振荡频率20GHz,2GHz时、栅偏压3V时的输出功率为0.8W/mm、功率增益为28dB.这些电学参数适合2

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