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利用嵌入式密勒补偿技术，我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器。在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下．该放大器还具备高增益和较高的电源抑制比。结果表明：在3V工作电压下，其直流开环增益AV=87dB，增益带宽GB=12MHz，相位裕度=63°，电源抑制比PSRR=72．6dB。
基于嵌入式密勒补偿技术的LDO放大器设计
【摘 要】
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利用嵌入式密勒补偿技术，我们设计了一种应用于LDO的高性能放大器。在保证良好的相位裕度和稳定增益带宽的条件下．该放大器还具备高增益和较高的电源抑制比。结果表明：在3V工作
【机 构】
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西南交通大学微电子研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2006年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（60371017）四川省学术和技术带头人项目
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