【摘 要】
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用熔盐法生长了两种 Bi替代的高法拉第旋转、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶Bi- Ho Yb IG和 Bi- Gd YIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。Ho3-x-y Yby Bix
【机 构】
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浙江大学材料系,浙江大学硅材料国家重点实验室!杭州310027,浙江大学硅材料国家重点实验室!杭州310027,中国计量学院光电子技术研究所!杭州310034
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用熔盐法生长了两种 Bi替代的高法拉第旋转、温度稳定的稀土铁石榴石磁光单晶Bi- Ho Yb IG和 Bi- Gd YIG,测试分析了其在近红外波段的磁光性能及其温度特性。Ho3-x-y Yby Bix Fe5O12 ( x =1.0 3,y =1.2 0 )单晶的比法拉第旋转角为 - 891°/cm(λ=1.31μm)和 -767°/cm (λ =1.55μm) ,Y3-x-y Gdy Bix Fe5O12 ( x =0 .4 6,y =0 .2 4 ) 单晶的值为 - 10 67°/cm (λ =1.31μm)和 - 882°/cm(λ=1.55μm) ,两者都比纯 YIG晶体高出许多。而且这两种晶体的法拉第旋转角随温度变化较小 ,在 2 50～ 4 0 0 K范围内 ,其温度灵敏度 S分别为 4 .60× 10 -4 /K和 4 .2 0×10 -4 /K。分析表明 ,Bi的掺入能大大提高晶体的法拉第旋转角 ,而 Yb3+、Gd3+等离子的掺入可以有效降低 Bi3+替代磁光单晶的法拉第旋转的温度灵敏性 ,Bi- Ho Yb IG和 Bi- Gd YIG等磁光晶体非常适合作为高灵敏度、温度稳定的光纤电流传感器中的法拉第转子材料
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