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采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了Bi2S3薄膜，利用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）对制备的薄膜进行了表征。研究了pH值、沉积时间、沉积液浓度等工艺因素对薄膜的影响。结果表明：电沉积制备Bi：S，薄膜的过程中，合适的Bi^3＋与S2O3^2-的浓度水平是至关重要的；在电沉积溶液pH：6．5，沉积时间为20min，沉积电压为1V，加入柠檬酸三钠作络合剂的情况下，得到沿（240）晶面生长良好的Bi2S3薄膜，薄膜组成均匀致密；增加沉积溶液pH值，薄膜的结晶程度逐渐提高，红外透过比提高。