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基于霍普金斯（Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论，通过计算０．３５μｍ方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模的硅片表面空间像的光强分布，找出了适合于各种相移掩模的最佳参数。其中衰减相移掩模对提高光刻分辨率和增加焦深最为明显，尤其在相干因子（σ）较小时更是如此。
用于0.35μm接触孔图形相移掩模研究
【摘 要】
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基于霍普金斯（Ｈｏｐｋｉｎｓ）理论，通过计算０．３５μｍ方孔的传统透射掩模、边缘相移掩模部分边缘相移掩模、辅助相移掩模以及衰减相移掩模的硅片表面空间像的光强分布，找出了适合于各种相移掩模的最佳
【机 构】
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中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室,中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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2000年4期
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