【摘 要】
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建立了重频脉冲激光加热/烧蚀半导体材料物理模型,在不同占空比的重复频率脉冲激光辐照下,采用有限元方法数值模拟了硅和锗两种半导体材料前、后表面的升温和烧蚀深度变化规
【机 构】
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北京应用物理与计算数学研究所,北京100094;中国工程物理研究院研究生院,北京100088;北京应用物理与计算数学研究所,北京100094
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建立了重频脉冲激光加热/烧蚀半导体材料物理模型,在不同占空比的重复频率脉冲激光辐照下,采用有限元方法数值模拟了硅和锗两种半导体材料前、后表面的升温和烧蚀深度变化规律,考察了材料厚度和物性的影响.模拟结果表明,材料前表面升温曲线呈齿状,与金属情形类似;后表面呈阶梯状,表现出与金属材料的差异.与连续激光相比,重频脉冲激光更有利于半导体材料的加热和烧蚀.
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