【摘 要】
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通过直流磁控溅射方法在锆合金基体表面沉积Cr涂层,再在Cr层上射频磁控溅射制备Si C涂层,探索了基体预处理方式、射频溅射功率对涂层结合力、厚度和表面质量的影响。采用扫描
【机 构】
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国家电投集团科学技术研究院有限公司; 北京科技大学;
【基金项目】
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国家科技重大专项子课题项目(2015ZX06004001-002)
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通过直流磁控溅射方法在锆合金基体表面沉积Cr涂层,再在Cr层上射频磁控溅射制备Si C涂层,探索了基体预处理方式、射频溅射功率对涂层结合力、厚度和表面质量的影响。采用扫描电镜及能谱仪,红外光谱和X射线衍射仪对Si C/Cr复合涂层样品进行成分分析,结果表明所制备的涂层Cr层为晶态,Si C层为非晶态。高温水蒸汽氧化实验表明Cr作为锆合金与Si C涂层之间的过渡层,不仅能够缓解Si C层和锆合金基体的热膨胀系数差异,提高涂层结合力,还能增加涂层的延展性,减少基体在高温水蒸气环境下的氧化和断裂。
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