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利用标准面源来模拟核材料库的γ辐射场,从实验和理论两方面研究了移走某一放射源后四个不同监测位置γ辐射强度的变化规律.结果表明,移走监控对象中某一放射源后,不同检测位置γ辐射强度的变化规律是唯一的,并与理论计算符合得很好.据此完全可以确定核材料的变化情况.
通过γ辐射强度的变化规律定位核元件技术研究
【摘 要】
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利用标准面源来模拟核材料库的γ辐射场,从实验和理论两方面研究了移走某一放射源后四个不同监测位置γ辐射强度的变化规律.结果表明,移走监控对象中某一放射源后,不同检测位
【机 构】
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中国工程物理研究院核物理与化学研究所
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2004年2期
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