【摘 要】
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采用氮化铝多层布线技术，运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输，完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内，该表贴互连反射损耗小于-15dB，插入损耗小于1．0dB。采
【机 构】
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南京国博电子有限公司,南京电子器件研究所
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采用氮化铝多层布线技术，运用垂直过渡方式实现微波信号从基板底部到表面的信号传输，完成表贴式微波封装设计。在DC-18GHz内，该表贴互连反射损耗小于-15dB，插入损耗小于1．0dB。采用该技术封装了6～18GHz宽带放大器，封装尺寸为5mmX5mmXl．2mm，频带内反射损耗小于-10dB，增益15dB，平坦度小于ldB；另外还封装C波段5W功率放大器，封装尺寸为8mm×8mm×1．2mm，带内增益大于25dB，反射损耗小于-10dB，饱和输出功率37dBm，效率35％。采用技术的表
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