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利用光热电离谱技术研究了４．５Ｋ下高纯ｎ－ＧａＡｓ外延材料的远红外光电导响应谱。给出ＣＰＥ法和ＶＰＥ法生长的高纯ＧａＡｓ材料残留浅施主杂质分别是Ｓ、Ｓｎ和Ｓｎ、Ｐ等杂质。实验结果表明本所高纯ＧａＡｓ组采用的ＬＰＥ生长技术能有效抑制杂质Ｓｉ和Ｓｎ的沾污。
高纯外延GaAs中浅施主杂质的光热电离谱研究
【摘 要】
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利用光热电离谱技术研究了４．５Ｋ下高纯ｎ－ＧａＡｓ外延材料的远红外光电导响应谱。给出ＣＰＥ法和ＶＰＥ法生长的高纯ＧａＡｓ材料残留浅施主杂质分别是Ｓ、Ｓｎ和Ｓｎ、Ｐ等杂质。实验结果表明本所高纯ＧａＡｓ组采用的ＬＰＥ生长技术能有效
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年4期
【基金项目】
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中国科学院半导体材料科学实验室资助
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