用改进的遗传算法精确提取GaAsMESFET小信号等效电路参数

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jackzeng6699

【摘要】

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提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种

【作者】

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张有涛夏冠群高建峰李拂晓铁宏安杨乃彬

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,南京电子器件研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年7期

【关键词】

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参数提取遗传算法模型 MESFET EEACC 2560B 0260 1350F parameter extraction genetic algorith

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提出了一种改进的遗传算法，应用于提取GaAsMESFET小信号等效电路参数．改进的算法采用浮点编码连续突变，多种遗传操作合作运行，并应用子代优化策略克服了传统遗传算法可能出现的种群退化现象，该算法可快速搜索到全局最优解而不受初始值限制．在0．1～10GHz范围内实现了精确、快速地提取GaAsMESFET小信号等效电路参数，并可合理外推至20GHz，整个过程无需人工干预．算法用Matlab语言实现，可方便地应用于HBT和HEMT以及无源元件电容、电感的参数提取．

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