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利用改进的晶体生长设备和工艺提高了PbWO4闪烁晶体的光产额。通过对生长获得的PbW04、退火PbWO4和BaR：PbWO4晶体的透过光谱，衰减时间和光产额等闪烁性质的研究，发现晶体退火和掺杂技术特别是阴离子掺杂技术能够显著提高晶体的闪烁发光性能。其中晶体掺杂全面提高了晶体的透过光谱强度，但是退火的影响较复杂。高温退火改善了PbWO4晶体在360nm以上波段的透过光谱的透过率，但是在320~360nm波段其透过率反而降低。这些现象与晶体中缺陷在可见光波段产生的特征吸收有关。晶体的良好退火和掺杂提高了晶体的