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以SeO2为硒源，以阳极氧化铝为模板，采用电化学方法对SeO2在碱性电解液中的还原过程进行了分析，确定了控电位制备CdSe纳米线的沉积电位和镀液组成，并分析了其沉积机理。在此基础上，以阳极氧化铝为模板，通过控电位法成功获得CdSe纳米线阵列。采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜和x-射线衍射对所制备的材料进行了形貌和结构表征。扫描电镜形貌分析表明，CdSe纳米线阵列高度有序、直径均一；直径约100nm，与模板孔径一致。x-射线衍射测试表明，所制得的CdSe纳米线为立方晶型。光电性能测试表明，CdSe纳米线阵