【摘 要】
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采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜,测量了薄膜的荧光光谱,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射,其荧光特性受氮、氧含量及沉积时基片温度的影响.结
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采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜,测量了薄膜的荧光光谱,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射,其荧光特性受氮、氧含量及沉积时基片温度的影响.结果表明:红光包括起源于量子限制效应的宽带及氧缺陷能级引起的分立峰;绿光依赖于氮的掺杂,起源于氮的缺陷能级跃迁,其峰型和峰位受基片沉积温度的影响;蓝光部分表现为多个分立峰的叠加,起源于复杂的氧缺陷能级;紫光部分包括一对双峰和多个宽发射带,发射带的强度受掺杂种类、掺杂浓度及沉积时基片温度的影响.当基片温度为750℃、中等氧氮掺杂时,可获得强的绿光和
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