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通过常压CVD方法由SiH4和TiCl4直接在玻璃基板上成功制备了TiSi2薄膜，用XRD、FESEM、四探针测阻仪和分光光度计研究了薄膜的结构、形貌、电学和光学性能。研究表明TiSi2薄膜的晶相是面心正交刊TiSi2；薄膜的电阻率直接由晶相的形成决定，受晶相颗粒大小和晶相致密度控制，TiSi2薄膜的电阻率随薄膜中TiSi2晶相含量的增大而下降。TiSi2薄膜在400—750nm范围的可见光区具有大致相同的透射比和最小的反射比，薄膜的透射比随薄膜厚度的增加而减小。在大于750nm的红外区，薄膜电阻率越小，