【摘 要】
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For characterization of semiconductor lasers, quasi-Fermi-level separation is a critical parameter due to its relationship with carrier density and gain. We sug
【机 构】
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Department of Electronic Information and Engineering, Wuhan University of Science and Engineering, W
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For characterization of semiconductor lasers, quasi-Fermi-level separation is a critical parameter due to its relationship with carrier density and gain. We suggest a new technique to determine the quasi-Fermi-level separation from amplified spontaneous emission measured from one facet.
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