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介绍了一个采用0.6 μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06 mm2)、高电源抑制比和较低温度系数.在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路.
一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源
【摘 要】
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介绍了一个采用0.6 μm数字CMOS工艺制作的能隙基准电压源电路,该电路具有小的硅片面积(0.06 mm2)、高电源抑制比和较低温度系数.在该电路应用于高精度电路的偏置系统时,还可
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年2期
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