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在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率（fT）的InAlN／GaN异质结场效应晶体管（HFETs）．基于MOCVD外延n＋-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小，有效源漏间距（Lsd）缩小至600nm．此外，采用自对准工艺制备了50nm直栅．由于器件尺寸的缩小，Vgs=1V下器件最大饱和电流（Ids）达到2．11A／mm，峰值跨导达到609mS／mm．根据小信号测试结果，外推得到器件的fT和最大振荡频率（fmax）分别为220GHz和48GHz．据我们所知，该fT值是目前国内InAlN／GaNHFE