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结合多孔硅（Si）、多孔砷化镓（GaAs）以及多孔磷化铟（InP）的不同孔形貌，综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构，系统地阐述了晶体结构在电化学刻蚀中的作用。化合物半导体由于存在晶格极化和各向异性，使得不同晶面的溶解速率或钝化速率不同，导致孔沿着溶解速率较大的方向生长，钝化速率较大的晶面成为孔壁，在一定程度上影响了孔的形状、大小及周期性排列等特征。用电流控制模型对不同孔的生长过程进行了较好的解释，进一步证明了晶体的结构特征对其产生的重要影响。