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文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管，通过外延中各层结构优化来提升亮度。研究表明，采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳Gap厚度，能更大幅度提升LED的亮度。制备的外延片制作成6mil＊6mil尺寸的芯片，采用20mA测得轴向光强为120．6mcd，这与常规结构10mil＊10mil的亮度一致。