【摘 要】
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利用反应烧结技术得到了纯度为93．09／5的Ti3SiC2块体材料；测试了该材料的断裂强度和硬度；用XRD、SEM等方法分析了材料的物相组成、断口形貌和损伤机制；用TG／DTA法分析了气孔产生的
【机 构】
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西安理工大学陕西省电工材料及熔渗技术重点实验室
【基金项目】
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基金项目：陕西省自然科学基金资助项目（2007EL04）
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利用反应烧结技术得到了纯度为93．09／5的Ti3SiC2块体材料；测试了该材料的断裂强度和硬度；用XRD、SEM等方法分析了材料的物相组成、断口形貌和损伤机制；用TG／DTA法分析了气孔产生的原因。结果表明：1250℃烧结Ti3SiC2材料的抗弯强度为105．59MPa，硬度为101HB；其强度随Ti3SiC2含量的增加而增大；材料的抗损伤机制是通过晶粒破碎、穿晶断裂、分层、拔出等形式来消耗能量，从而阻止了裂纹的扩展，表现出了一定的微塑性。
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