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GaAs／Si／AlAs异质结不同生长温度Si夹层分布的CV实验研究

来源 :北京师范大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：star51324

【摘 要】

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用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由

【作 者】

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李永平 田强 牛智川 杨锡震 吴正龙 王亚非 

【机 构】

：

北京师范大学物理学系,中国科学院半导体所超晶格国家重点实验室,北京师范大学分析测试中心

【出 处】

：

北京师范大学学报：自然科学版

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

：

GaAs/Si/AlAs异质结 生长温度 Si夹层 CV测量 实验研究 导带带阶 异质结器件 热扩散 半导体 空间分布 GaAs/AlAs heterojunc 

【基金项目】

：

教育部高校骨干教师资助计划

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论文部分内容阅读

用MBE生长设备制备了GaAs/Si/AlAs异质结,通过CV法研究了异质结的带阶和GaAs层在不同温度下生长对0.5分子层 Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而由局域变为弥散的温度效应.

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