【摘 要】
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采用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）,通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12（BIT）系列薄膜。利用X射线衍射（XRD）表
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采用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）,通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12（BIT）系列薄膜。利用X射线衍射（XRD）表征了薄膜的结构特征;并采用RT2000进行铁电性能参数的测量,以此研究了工艺参数对薄膜结构和铁电性能的影响规律。分析结果表明,调整工艺参数能有效改善BIT薄膜的a轴取向度：气氛氧压越大、衬底温度越高,则薄膜的a轴取向度越高,剩余极化值也就越大。通过上述试验结果得到,在Pt/Ti
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技