温度对ID畴壁内VBL解体临界面内场的影响

来源 :河北师范大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chuai09
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实验研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性,发现,从室温到T0范围内的任一不同温度下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[Hip^(1)(T),Hip^(2)(T)],当Hip<Hip^(1)(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当Hip^(1)(T)<Hip<Hip^(2)(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场Hip的增大,VBL丢失得越来越多;当Hip>Hip^(2)(T)时,VBL完全丢失,
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