GaN基HEMT与整流管一体化制造GaN功率电子IC

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经过香港科技大学的K.Chen及其研究小组的努力,GaN整流管和常断型HEMTs现在可制作在同一芯片上。据K.Chen称,GaN功率电子IC的此项突破将使单芯片制造GaN基开关型功率转换器成为可能,其中包括可分别升压和降压的补偿转换器和升压转换器。将整流管和HEMTs一体化制作在同一芯片上 Through the efforts of K. Chen and his team at Hong Kong University of Science and Technology, GaN rectifiers and normally-off HEMTs can now be fabricated on the same chip. According to K. Chen, this breakthrough in GaN power electronics ICs will make it possible to make GaN-based switch-mode power converters on a single chip, including compensation and step-up converters that step up and down, respectively. The rectifier and HEMTs integrated production on the same chip
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